MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:E TR

MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:E TR是一款由美光科技生产的128Gb NAND闪存芯片，采用132-VBGA表面贴装封装，适用于高密度数据存储应用。其核心卖点包括128Gb（16G x 8）的大容量、267MHz的高时钟频率以及并联接口设计，支持高速数据传输，同时工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容性强。

该器件具备非易失性存储特性，在断电后数据不丢失，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于工业级环境。其卷带包装便于自动化生产，提高了装配效率。整体上，这款芯片以高可靠性、宽温操作和大容量优势，为目标应用提供了稳定的存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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