MT29F2G16ABAEAWP:E TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用128M x 16位的组织结构和并联接口。该器件工作电压为2.7V至3.6V，提供非易失性数据存储，封装形式为表面贴装型的48-TFSOP，并以卷带形式供货。
其核心特性在于通过16位宽并行数据总线实现高效数据传输，适用于需要快速读写大块数据的嵌入式系统。该芯片工作温度范围为0°C至70°C，主要面向商业级应用环境。作为一款基于成熟NAND技术的解决方案，它为成本敏感型设计提供了可靠的大容量存储选项。
- 型号:MT29F2G16ABAEAWP:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取MT29F2G16ABAEAWP:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
