MT29F64G08CBABBWPR:B TR是美光科技推出的一款64Gb容量、8位并行接口的NAND闪存芯片，采用48引脚TSOP封装和卷带包装。该器件基于非易失性闪存技术，可在2.7V至3.6V的宽电压范围内工作，并支持0°C至70°C的商业温度范围，确保了在多种嵌入式环境下的稳定性和兼容性。
其核心卖点在于将高密度存储（8G x 8位组织方式）与标准的异步NAND接口相结合，为系统设计提供了大容量数据存储的标准化解决方案。芯片内部集成了增强数据管理功能，有助于提升整体系统的数据可靠性和使用寿命。
- 型号:MT29F64G08CBABBWPR:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取MT29F64G08CBABBWPR:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
