MT41K512M8RG-107:N TR

MT41K512M8RG-107:N TR 是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3L SDRAM存储器。该芯片采用512M x 8的组织结构，运行时钟频率为933MHz，可实现高达1866 MT/s的数据传输速率，并提供20ns的快速访问时间，适用于需要高带宽数据处理的场合。

其核心优势在于采用了低电压DDR3L（L代表低电压）技术，工作电压范围在1.283V至1.45V之间，相比传统DDR3显著降低了动态和静态功耗，有助于提升整个系统的能效比。器件采用78-TFBGA表面贴装封装，并支持并联接口，便于集成到空间受限的嵌入式设计中。

该器件的工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在工业级宽温环境下的可靠性。其主要定位于网络通信、工业控制、嵌入式计算等对内存性能和功耗有平衡要求的应用领域。

• 型号:MT41K512M8RG-107:N TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（7.5x10.6）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x10.6）
• 想获取MT41K512M8RG-107:N TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料