MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR

MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR是美光科技生产的一款大容量、高性能NAND闪存芯片。该器件提供1.5Tb（192GB）的存储容量，采用并联接口，支持高达333MHz的时钟频率，旨在实现高速数据读写操作，满足数据密集型应用的需求。

其工作电压范围为2.5V至3.6V，采用272-VFBGA表面贴装封装，适用于高密度PCB布局。作为非易失性存储器，它在电源关闭后仍能保持数据，主要面向企业级存储、数据中心服务器和高端计算设备等需要高可靠性和大容量存储的解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
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