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MICRON
MT41K512M8DA-107 IT:P TR的图片

MT41K512M8DA-107 IT:P TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(8x10.5)
优势价格,MT41K512M8DA-107 IT:P TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K512M8DA-107 IT:P TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K512M8DA-107 IT:P TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片,采用78-TFBGA封装。该器件基于DDR3L技术,核心配置为512M x 8位,运行时钟频率为933MHz,可实现高达1866 MT/s的数据传输速率。

其关键特性包括1.35V的低工作电压,显著降低了动态和静态功耗;支持-40°C至95°C的宽工业温度范围,确保了在苛刻环境下的稳定运行。快速的15ns写周期时间和20ns访问时间,使其能够满足对实时性要求高的应用场景需求。

  • 型号:MT41K512M8DA-107 IT:P TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(8x10.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:20 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(8x10.5)
  • 想获取MT41K512M8DA-107 IT:P TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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