MT29F64G08CBCDBJ4-6ITR:D TR是美光科技生产的一款64Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用8G x 8位的组织架构，提供8GB的存储空间，并通过132-VBGA封装实现紧凑的表面贴装设计。
其核心特性包括支持高达167MHz时钟频率的并联接口，可实现高速数据存取，工作电压范围为2.7V至3.6V。产品具备非易失性存储特性，并能在-40°C至85°C的宽温环境下稳定工作，满足工业级应用的可靠性要求。
- 制造商产品型号：MT29F64G08CBCDBJ4-6ITR:D TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC FLASH 64GBIT PARALLEL 132VBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：停产
- 存储器类型：非易失
- 存储器格式：闪存
- 技术：闪存 - NAND
- 存储容量：64Gb（8G x 8）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：167MHz
- 写周期时间-字，页：-
- 访问时间：-
- 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：132-VBGA
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