M25PE40-VMN6TPBA TR是美光科技生产的一款4Mb容量串行NOR闪存存储器。该器件采用标准的SPI接口,最高支持75MHz时钟频率,可实现高速数据访问,其宽电压供电范围(2.7V~3.6V)和工业级温度范围(-40°C~85°C)确保了在各种嵌入式环境下的稳定性和可靠性。
芯片组织架构为512K x 8位,提供高效的页编程和扇区擦除功能。其紧凑的8-SOIC表面贴装封装节省了电路板空间,适用于对尺寸和性能有要求的应用,如系统引导、参数存储及数据记录等场景。
- 型号:M25PE40-VMN6TPBA TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:8-SO
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT SPI 75MHZ 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8
- 存储器接口:SPI
- 时钟频率:75 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ms,3ms
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
- 想获取M25PE40-VMN6TPBA TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料