MT41K512M8DA-107 AAT:P TR

MT41K512M8DA-107 AAT:P TR是美光科技生产的一款4Gb容量、符合AEC-Q100标准的车规级DDR3L SDRAM。该器件采用512M x 8的存储结构，工作电压为1.283V至1.45V，在实现低功耗运行的同时，其核心时钟频率可达933MHz，提供高达1866MT/s的数据传输率，能够有效满足高性能计算对内存带宽的需求。

其核心卖点在于卓越的环境适应性与可靠性。该芯片支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，并通过了严格的汽车电子认证，确保在振动、温度骤变等恶劣条件下长期稳定工作。78-TFBGA的小型化封装适合空间受限的嵌入式设计，使其成为汽车电子、工业控制及高可靠性通信设备中理想的高速易失性存储器解决方案。

• 型号:MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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