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MICRON
MT53E384M32D2DS-046 AAT:E TR的图片

MT53E384M32D2DS-046 AAT:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E384M32D2DS-046 AAT:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E384M32D2DS-046 AAT:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E384M32D2DS-046 AAT:E TR是美光科技推出的一款12Gb容量Mobile LPDDR4 SDRAM芯片。该器件采用384M x 32的组织结构,运行时钟频率高达2.133GHz,能够为移动和嵌入式应用提供卓越的数据传输带宽。

其核心优势在于实现了高性能与低功耗的平衡。器件采用0.6V和1.1V双电压供电,符合LPDDR4标准,旨在显著降低系统功耗。同时,其-40°C至105°C的宽工作温度范围和200-WFBGA紧凑封装,使其能够适应空间受限且环境要求严苛的各类应用场景。

  • 型号:MT53E384M32D2DS-046 AAT:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:12Gb
  • 存储器组织:384M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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