MT46V128M4BN-6:F TR

MT46V128M4BN-6:F TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用128M x 4的组织结构。该器件基于DDR技术，在167MHz的时钟频率下可实现高达333MT/s的有效数据传输速率，显著提升了系统的数据吞吐能力。

其关键时序参数包括15ns的写周期时间和700ps的访问时间，确保了快速的数据读写响应。芯片采用2.5V标准电压供电，工作温度范围为0°C至70°C，并封装在节省空间的60-TFBGA中，以卷带形式供货，适用于表面贴装工艺。

• 制造商产品型号：MT46V128M4BN-6:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
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