MT49H16M36SJ-18:B TR

MT49H16M36SJ-18:B TR 是美光科技生产的一款576Mb容量并行接口DRAM芯片。其核心规格为16M字深、36位宽的组织结构，旨在提供高带宽的数据通路，满足密集型数据处理需求。

该器件运行时钟频率可达533MHz，并具备15ns的快速访问时间，确保了高速运算环境下的低延迟响应。其采用1.7V至1.9V的低电压供电，配合144-TFBGA表面贴装封装，在实现高性能的同时，也兼顾了功耗优化与紧凑空间内的集成便利性。

• 型号:MT49H16M36SJ-18:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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