MT41K512M16TNA-125:E是美光科技生产的一款8Gb（512M x 16组织）容量DDR3L SDRAM存储器。该芯片采用并联接口与96-TFBGA封装，核心特性在于其低电压操作（1.283V~1.45V）与高达800MHz（等效1600MT/s）的时钟频率，在提供高数据传输带宽的同时，显著优化了系统功耗。
其13.5ns的访问时间确保了快速的数据响应能力，适用于需要高速数据缓冲与处理的场合。工作温度范围为0°C至95°C（TC），满足多数嵌入式与网络应用的环境要求。该器件为表面贴装型，主要面向已进入维护阶段或特定需求的网络通信、工业计算及高性能嵌入式系统设计。
- 型号:MT41K512M16TNA-125:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（10x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（10x14）
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