MT41K2G4TRF-107:E TR

MT41K2G4TRF-107:E TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用78-TFBGA封装。该器件基于DDR3L技术，核心电压供应范围在1.283V至1.45V之间，实现了高性能与低功耗的平衡。

其内部组织为2G x 4，时钟频率可达933MHz，提供高达1866 MT/s的数据传输速率，并具备20ns的快速访问时间。这些参数使其能够为各类嵌入式系统和网络设备提供高速、可靠的数据缓冲与存储解决方案。

• 型号:MT41K2G4TRF-107:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9.5x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:2G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9.5x11.5）
• 想获取MT41K2G4TRF-107:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料