MT41K256M8DA-125 IT:K TR是美光科技推出的一款2Gb容量、采用DDR3L标准的同步动态随机存取存储器（SDRAM）。该芯片采用256M x 8的存储单元组织架构，封装于紧凑的78-TFBGA中，支持表面贴装，适用于空间受限的设计。
其核心优势在于高性能与低功耗的结合。芯片在800MHz时钟频率下运行，实现1600 MT/s的数据传输速率，并提供13.75ns的快速访问时间，能满足高速数据处理的需求。同时，其1.35V的低工作电压（范围1.283V~1.45V）相比传统DDR3大幅降低了动态和静态功耗。器件支持-40°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在工业及汽车等严苛环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:MT41K256M8DA-125 IT:K TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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