MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR是美光科技生产的一款6Tb（768GB）大容量NAND闪存芯片。该器件采用并联接口，支持高达333MHz的时钟频率，旨在提供卓越的数据传输带宽，满足对存储速度有严苛要求的应用。
其核心卖点在于将极高的存储密度与高速并行访问能力相结合。2.5V至3.6V的宽电压供电范围增强了设计适应性，而0°C至70°C的商业级工作温度范围确保了在常见环境下的稳定运行。这款非易失性存储器主要面向需要处理海量数据且注重吞吐性能的企业级存储解决方案。
- 型号:MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 6TBIT PARALLEL 333MHZ
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:6Tb
- 存储器组织:768G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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