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MICRON
M58WR032KB70ZB6Z的图片

M58WR032KB70ZB6Z

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56VFBGA
原厂封装:产品封装:56-VFBGA
优势价格,M58WR032KB70ZB6Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M58WR032KB70ZB6Z的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

M58WR032KB70ZB6Z是美光科技生产的一款32Mb(2M x 16位)并行NOR闪存芯片,采用56-VFBGA封装。该器件基于NOR闪存技术,提供非易失性数据存储,其核心优势在于70ns的快速访问时间和高达66MHz的时钟频率,能够实现高速数据读取,满足即时代码执行应用的需求。

该芯片工作电压范围为1.7V至2.0V,支持低功耗设计,其工业级工作温度范围(-40°C ~ 85°C)确保了在恶劣环境下的可靠性。70ns的写入周期时间进一步优化了数据编程效率。这些特性使其成为汽车电子、工业控制、网络通信等需要快速启动和可靠固件存储的嵌入式系统的关键组件。

  • 制造商产品型号:M58WR032KB70ZB6Z
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:32Mb(2M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:66MHz
  • 写周期时间-字,页:70ns
  • 访问时间:70ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:56-VFBGA
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