MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR

MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR 是美光科技生产的一款6Tb（768G x 8位）大容量NAND闪存芯片。该器件采用并联接口，支持高达267MHz的时钟频率，旨在提供卓越的数据传输带宽，满足高性能存储应用对速度与容量的双重需求。

其核心优势在于将海量非易失性存储与高速并行访问相结合。工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容性良好，并支持0°C至70°C的商业温度范围，确保了在广泛应用环境中的可靠性。这款芯片为需要处理大量数据流的系统提供了一个高密度的存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 6TB PARALLEL 267MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：6Tb（768G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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