MT41K256M16TW-107 V:P是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用256M x 16位组织架构。该器件核心特性在于其低电压（1.283V~1.45V）与高速度（933MHz时钟频率/1866 MT/s数据速率）的出色结合，在提供高达1866 MT/s数据传输带宽的同时，显著降低了系统功耗。
它采用并联接口和96-TFBGA表面贴装封装，支持片上终端电阻（ODT）以优化信号完整性，访问时间为20ns。其工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于对性能、功耗和空间均有要求的嵌入式及网络通信应用场景。
- 型号:MT41K256M16TW-107 V:P
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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