MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR

MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8）并行接口NAND闪存芯片，采用63-VFBGA表面贴装封装。该器件属于Automotive系列，并通过AEC-Q100认证，具备非易失性存储特性，工作电压范围为2.7V至3.6V，工作温度覆盖-40°C至105°C，适用于严苛环境。

其核心卖点在于高可靠性的汽车级品质与并行接口带来的高速数据吞吐能力。卷带包装形式便于自动化生产，支持在汽车电子、工业控制等需要宽温操作和高数据完整性的应用中提供稳定的存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（512M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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