MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR是美光科技生产的一款8Gb容量、采用移动LPDDR4标准的SDRAM芯片。该器件以256M x 32的组织形式构成存储阵列，单颗即可提供1GB的存储空间，并支持高达2.133GHz（数据速率4266MT/s）的时钟频率，能够为系统带来卓越的数据吞吐性能。
其设计核心在于实现高性能与低功耗的优化统一。芯片采用0.6V和1.1V的双电压供电，显著降低了运行功耗，符合移动设备的能效要求。同时，其工作温度范围宽达-40°C至105°C，并采用200球WFBGA紧凑型封装，确保了在空间受限且环境多变的嵌入式、汽车及工业应用中的高可靠性和易用性。
- 型号:MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA（10x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:256M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2.133 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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