MT47H256M8EB-25E AIT:C TR是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用256M x 8位组织结构和并联接口。该器件在400MHz时钟频率下运行，实现每秒800兆次的数据传输速率，并提供400ps的快速访问时间，适用于对数据吞吐量和响应速度有较高要求的系统。
其工作电压为1.7V至1.9V，支持宽温工作范围（-40°C至95°C），并采用60-TFBGA表面贴装封装，确保了在紧凑空间和严苛环境下的适用性与可靠性。该芯片集成了可编程时序控制和片内终结等高级功能，有助于优化信号完整性和简化板级设计。
- 型号:MT47H256M8EB-25E AIT:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
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