MT41K256M16LY-107:N TR

MT41K256M16LY-107:N TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM存储器。该芯片采用256M x 16位的组织架构，通过并联接口提供高速数据访问，其核心时钟频率为933MHz，可实现高达1866 MT/s的数据传输速率，满足高带宽应用需求。

作为低电压（DDR3L）器件，其工作电压范围为1.283V~1.45V，相比标准DDR3显著降低了功耗，有利于提升能效。该芯片采用96-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于空间受限且对热管理有要求的嵌入式设计。

• 型号:MT41K256M16LY-107:N TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
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