MT29F64G08CBABBWP-12:B TR是美光科技生产的一款64Gb（8G x 8）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于成熟的闪存技术，提供非易失性数据存储解决方案，其83MHz的时钟频率支持高速数据传输，适用于对读写带宽有要求的应用。
芯片工作在2.7V至3.6V电压范围内，采用48-TFSOP表面贴装封装，工作温度覆盖0°C至70°C，满足商业及工业环境的常见需求。其核心卖点在于将大容量存储与标准并行接口相结合，为嵌入式系统设计提供了可靠的数据存储基础。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态。
- 型号:MT29F64G08CBABBWP-12:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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