MT41K256M16HA-125 V:E 是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用256M x 16位的并行架构。该器件基于DDR3L（低电压）技术，核心优势在于其1.283V至1.45V的低工作电压范围，在显著降低动态功耗的同时，仍能提供高达800MHz时钟频率（1600 MT/s数据速率）和13.75ns访问时间的高性能。
该芯片采用96-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于空间受限且对热管理有要求的应用。其设计兼顾了高带宽、快速响应与优异的能效比，主要面向需要平衡性能与功耗的嵌入式计算和网络通信解决方案。
- 型号:MT41K256M16HA-125 V:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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