MT40A1G8WE-083E AAT:B TR是一款由美光科技制造的8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用1G x 8的位宽组织。该器件基于DDR4技术标准，运行时钟频率为1.2GHz，实现高达2400MT/s的数据传输速率，为系统提供了卓越的内存带宽性能。
其核心特性包括支持片上ECC功能以保障数据完整性，工作电压范围为1.14V至1.26V，有助于降低系统功耗。该芯片采用78-TFBGA封装，支持表面贴装，并具备-40°C至105°C的宽工作结温范围，适用于对可靠性和环境适应性有较高要求的应用场景。
- 型号:MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
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