NAND04GR3B2DN6E

NAND04GR3B2DN6E是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8）容量并行接口NAND闪存芯片，采用48-TFSOP封装。该器件基于成熟的NAND闪存技术，提供非易失性数据存储，其核心规格包括25ns的访问与写周期时间，以及1.7V至1.95V的低工作电压范围，旨在实现高效的数据吞吐与较低的功耗。

该芯片设计用于表面贴装，工作温度范围为-40°C至85°C，确保了在宽温工业环境下的可靠性。其并行接口架构便于与主流微控制器集成，适用于需要稳定、中等容量存储解决方案的各类嵌入式应用。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态。

• 制造商产品型号：NAND04GR3B2DN6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（512M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：25ns
• 访问时间：25ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 想获取NAND04GR3B2DN6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料