M29F800FB55N3F2 TR 是美光科技生产的一款8Mb并行NOR闪存芯片，采用48-TFSOP封装。该器件提供1M x 8位或512K x 16位的灵活存储组织方式，并具备55ns的快速访问与写入时间，确保了高效的数据吞吐性能。
其工作电压范围为4.5V至5.5V，兼容广泛的5V系统，同时支持-40°C至125°C的宽工作温度范围，满足工业级与汽车级应用的可靠性要求。作为一款非易失性存储器，它适用于存储固件、引导代码及关键参数，是传统嵌入式系统中可靠的代码存储解决方案。
- 型号:M29F800FB55N3F2 TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8，512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取M29F800FB55N3F2 TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
