MT41K1G8SN-107:A TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM存储器,采用1G x 8位的组织架构和并行接口。该芯片核心优势在于其933MHz时钟频率与低至1.283V~1.45V的工作电压,在提供高达1866MT/s数据传输速率的同时,显著优化了系统功耗,符合现代电子设备对高性能与高能效的双重追求。
该器件采用78-TFBGA表面贴装封装,尺寸紧凑,适合高密度PCB设计。其20ns的访问时间和0°C至95°C的宽工作温度范围,保证了在各类嵌入式及工业应用环境中稳定、可靠的低延迟数据存取性能。作为一款已停产的器件,其在选型时需重点关注供应链的持续支持。
- 型号:MT41K1G8SN-107:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA(9x13.2)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA(9x13.2)
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