MT41J256M16HA-107:E是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3 SDRAM芯片,采用256M x 16位的组织架构。该器件提供高达933MHz的时钟频率,支持1866 MT/s的数据传输速率,并具备20ns的快速访问时间,旨在为系统提供高带宽与低延迟的内存解决方案。
其工作电压范围为1.425V至1.575V,采用96-TFBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至95°C(TC)。这些参数使其能够满足对性能、功耗和可靠性有较高要求的并行接口存储应用场景。
- 型号:MT41J256M16HA-107:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA(9x14)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA(9x14)
- 想获取MT41J256M16HA-107:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料