MT41K1G4RH-107:E TR

MT41K1G4RH-107:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用1G x 4的内部组织架构。该器件基于成熟的DDR3L技术，核心优势在于其低电压操作特性，工作电压低至1.283V~1.45V，能显著降低系统整体功耗，同时其时钟频率达到933MHz，可实现高达1866 MT/s的数据传输速率，兼顾了高性能与高能效。

该芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C的宽工作温度范围，具备良好的环境适应性。其并联接口设计确保了与主控芯片的高速、稳定数据交换。这些特性使其成为对内存带宽、功耗和可靠性有明确要求的嵌入式系统、网络设备及工业控制应用的理想选择。

• 型号:MT41K1G4RH-107:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:1G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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