MT41K1G4RH-125:E是美光科技生产的一款4Gb（1G x 4组织）DDR3 SDRAM芯片，采用78-TFBGA封装。该器件基于DDR3技术，时钟频率为800MHz，实现1600MT/s的数据传输速率，并提供13.75ns的访问时间，旨在满足对带宽和响应速度有较高要求的应用。
其核心特性包括1.35V（1.283V~1.45V范围）的低工作电压，有助于降低系统功耗，并支持片上终结（ODT）以优化信号完整性。该芯片工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于广泛的商业及工业嵌入式环境。
- 型号:MT41K1G4RH-125:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:1G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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