NAND512W3A2CZA6E是美光科技推出的一款512Mb容量并行接口NAND闪存芯片，采用64M x 8位的组织结构。其核心优势在于50ns的页写入时间和访问时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围，确保了在各类嵌入式应用中的快速响应和电源兼容性。
该器件采用63-TFBGA封装，支持表面贴装工艺，工作温度覆盖-40°C至85°C，满足工业级和扩展温度环境的要求。其并联接口为标准设计，便于集成，主要服务于需要可靠非易失性存储的工业控制、汽车电子及通信设备等领域。
- 型号:NAND512W3A2CZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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