MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

MT40A256M16GE-075E AAT:B TR是美光科技推出的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用256M x 16位的组织架构。该器件基于DDR4技术标准，支持高达1.33GHz（2666MT/s）的数据传输速率，其并联接口和优化的时序设计旨在提供高带宽的数据访问能力，以满足现代计算系统对内存性能的要求。

该芯片在1.14V至1.26V的低电压下工作，有助于降低系统整体功耗。其工业级的工作温度范围（-40°C 至 105°C 结温）确保了在恶劣环境下的稳定运行。产品采用96-TFBGA表面贴装封装，适用于空间受限的高密度PCB设计，主要面向网络通信、嵌入式系统、工业控制及汽车电子等需要可靠、高性能存储解决方案的应用领域。

• 型号:MT40A256M16GE-075E AAT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.33 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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