NAND256W3A2BZA6F TR是美光科技推出的一款256Mb容量并行NAND闪存芯片，采用32M x 8位的存储结构。其核心优势在于50ns的快速页访问与写入时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围，能够满足对数据读写速度及电源适应性有要求的嵌入式应用。
该芯片采用55-TFBGA封装，支持表面贴装，工作温度覆盖-40°C至85°C的工业级范围，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。其并联接口提供了直接的数据通路，适用于工业控制、网络设备等需要可靠非易失性存储的领域。
- 型号:NAND256W3A2BZA6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:55-VFBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PAR 55VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:55-TFBGA
- 供应商器件封装:55-VFBGA（8x10）
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