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MICRON
MT41K1G4RG-107:N TR的图片

MT41K1G4RG-107:N TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
原厂封装:产品封装:78-TFBGA
优势价格,MT41K1G4RG-107:N TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K1G4RG-107:N TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K1G4RG-107:N TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM组件,采用78-TFBGA封装和卷带包装。该器件基于1.35V低电压(1.283V~1.45V)的DDR3L技术,核心架构为1G x 4组织,通过并联接口提供高速数据访问。

其核心性能表现为933MHz的时钟频率,支持高达1866 MT/s的数据传输速率,访问时间为20ns,能够在0°C至95°C的宽壳温范围内稳定工作。这些参数共同定义了其在要求高带宽、低功耗的嵌入式内存子系统中的适用性。该产品属于易失性DRAM存储器,目前已停产。

  • 制造商产品型号:MT41K1G4RG-107:N TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:4Gb(1G x 4)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:933MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:20ns
  • 电压-供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:78-TFBGA
  • 想获取MT41K1G4RG-107:N TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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