MT41K128M16JT-125 V:K TR

MT41K128M16JT-125 V:K TR 是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3L SDRAM组件，采用128M x 16位的组织架构。该器件基于DDR3L技术，核心优势在于其1.283V至1.45V的低工作电压范围，相比标准电压DDR3内存，能有效降低系统功耗，满足现代电子设备对能效的严格要求。

该芯片提供高达800MHz（等效于1600MT/s）的数据传输速率，访问时间为13.75ns，通过16位宽的并行接口提供高速数据吞吐能力，适用于需要平衡性能与功耗的应用。其采用96-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），具有良好的集成度和环境适应性，主要面向网络通信、工业控制及嵌入式系统等领域的存储解决方案。

• 型号:MT41K128M16JT-125 V:K TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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