MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A TR是美光科技生产的一款64Gb（8G x 8）容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用100-VBGA表面贴装封装，工作电压为2.7V至3.6V，支持高达83MHz的时钟频率，旨在为嵌入式系统提供高密度、非易失性的数据存储解决方案。
其核心特性包括基于NAND闪存技术的稳定存储架构，适用于商业温度范围（0°C至70°C）的应用环境。该芯片以卷带形式提供，便于自动化贴装生产，主要面向需要大容量本地存储的工业与消费类电子设备。
- 型号:MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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