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MICRON
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR的图片

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR 是美光科技生产的一款4Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用128M x 32位的组织架构,核心优势在于其1600MHz的高时钟频率,可提供高达3200MT/s的数据传输速率,满足现代移动计算平台对高带宽的迫切需求。

其设计专注于能效,1.1V的工作电压有效降低了系统整体功耗,符合电池供电设备的节能标准。同时,器件采用200-WFBGA小型化封装,并支持-40°C 至 125°C的宽工作温度范围,确保了在空间受限及环境严苛的应用中仍能保持稳定可靠的运行。

  • 型号:MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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