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MICRON
MT41K128M16JT-125 AIT:K TR的图片

MT41K128M16JT-125 AIT:K TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(8x14)
优势价格,MT41K128M16JT-125 AIT:K TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K128M16JT-125 AIT:K TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K128M16JT-125 AIT:K TR是美光科技生产的一款2Gb容量、采用DDR3L技术的并行接口SDRAM。该器件采用128M x 16位的组织架构,在800MHz时钟频率下可实现高达1600 MT/s的数据传输速率,并提供13.75ns的快速访问时间,旨在满足高性能计算与数据处理对高带宽和低延迟的严格要求。

其核心优势在于1.283V至1.45V的低工作电压范围,相比标准DDR3显著降低了动态功耗与静态功耗,符合现代电子系统对能效提升的设计趋势。同时,器件支持-40°C至95°C的宽温工作范围,并采用96-TFBGA小型化封装,使其能够稳定应用于对可靠性、环境适应性和空间布局有严苛要求的工业与嵌入式领域。

  • 型号:MT41K128M16JT-125 AIT:K TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(8x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:128M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.75 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(8x14)
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