MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A是美光科技推出的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和3D NAND技术，封装于132-LBGA中。其核心架构提供64G x 8的组织形式，在2.7V至3.6V电压及0°C至70°C温度范围内工作，支持高达100MHz的时钟频率，旨在满足高带宽数据存储需求。

该器件具备非易失性存储特性，适用于表面贴装设计。其技术参数表明，该芯片侧重于在商业温度环境下实现大容量、并行高速访问的数据存储功能，适用于对存储密度和传输速率有较高要求的嵌入式系统。

• 制造商产品型号：MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132LBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-LBGA
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