M58LR128KB85ZB6E是美光科技推出的一款128Mb容量并行接口NOR闪存芯片，采用8M x 16位的存储结构。该芯片提供85ns的快速访问时间和写周期时间，支持高达66MHz的工作频率，确保了高效的数据读写性能。
其工作电压范围为1.7V至2V，有助于实现低功耗设计，同时具备-40°C至85°C的宽工作温度范围，满足工业级应用的环境要求。芯片采用56-VFBGA表面贴装封装，适用于空间紧凑的嵌入式系统设计。
- 型号:M58LR128KB85ZB6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
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