MT41J512M8THD-187E:D是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3 SDRAM存储器。该芯片采用512M x 8的位宽配置，基于并联接口，在533MHz的时钟频率下可实现高达1066MT/s的数据传输速率，并提供13.125ns的快速访问时间，适用于对内存带宽和响应速度有严格要求的应用。
器件工作电压为1.5V（±5%容差），采用78-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C（TC）的工作温度范围。其核心参数设计遵循JEDEC DDR3标准，确保了与主流控制器平台的兼容性，为网络设备、存储系统和工业计算等领域提供了可靠的高性能内存解决方案。
- 型号:MT41J512M8THD-187E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.125 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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