M58LT256JST8ZA6E是美光科技生产的一款256Mb（16M x 16）并行NOR闪存芯片。它采用80-LBGA封装，支持表面贴装，核心供电电压范围为1.7V至2V，具备低功耗特性。
该器件提供85ns的快速访问时间和52MHz的工作频率，支持高速代码执行。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，满足工业级应用的环境要求。作为一款非易失性存储器，它适用于需要可靠固件存储和快速读取的嵌入式系统。
- 型号:M58LT256JST8ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:80-LBGA（10x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:52 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:80-LBGA
- 供应商器件封装:80-LBGA（10x12）
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