MT41J256M8JE-15E:A

MT41J256M8JE-15E:A是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用256M x 8位组织架构。该器件基于DDR3技术，核心工作电压为1.5V，支持高达667MHz的时钟频率，实现1333 MT/s的数据传输速率，并提供13.5ns的快速访问时间，旨在为系统提供高效的数据吞吐能力。

其82-ball FBGA表面贴装封装优化了空间占用与信号完整性，工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC）。这些特性使其成为网络基础设施、工业控制系统及高性能嵌入式应用中对内存带宽和可靠性有明确要求的合适选择。

• 型号:MT41J256M8JE-15E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:82-FBGA（12.5x15.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 82FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:82-FBGA
• 供应商器件封装:82-FBGA（12.5x15.5）
• 想获取MT41J256M8JE-15E:A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料