EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR是美光科技推出的一款4Gb容量LPDDR2移动SDRAM芯片，采用64M x 64的并行架构。其核心优势在于高达533MHz的时钟频率，结合双倍数据率技术，可提供卓越的数据传输带宽，满足高性能移动计算的需求。
该器件设计注重能效与可靠性，工作电压范围宽达1.14V至1.95V，有助于系统级功耗优化。同时，其支持-40°C至85°C的扩展工业级温度范围，并采用紧凑的216-WFBGA封装，使其能够适应对空间和环境条件要求严苛的嵌入式及工业应用场景，是构建稳健系统内存子系统的关键组件。
- 型号:EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:216-WFBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:64M x 64
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:216-WFBGA
- 供应商器件封装:216-WFBGA（12x12）
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