MT41J256M8HX-15E IT:D TR 是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3 SDRAM存储器，采用78-TFBGA封装。该芯片基于并联接口，组织架构为256M x 8，在667MHz的时钟频率下可实现1333 MT/s的数据传输速率，提供高带宽的数据访问能力。
其工作电压为标准的1.5V（范围1.425V~1.575V），访问时间为13.5ns，并支持-40°C至95°C的宽工作温度范围，满足工业级应用的可靠性要求。作为一款易失性DRAM，它适用于需要高速数据缓冲和临时存储的各类嵌入式及通信系统。
- 型号:MT41J256M8HX-15E IT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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