MT41J256M8HX-15E:D是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3 SDRAM存储器，采用78-TFBGA封装。该器件基于DDR3技术，时钟频率高达667MHz（数据速率1333MT/s），配合13.5ns的访问时间，能够为系统提供高带宽和快速响应的数据存取能力。
其核心架构为256M x 8位组织，工作电压范围1.425V~1.575V，工作温度范围为0°C至95°C（TC）。该芯片采用并联接口和表面贴装形式，适用于对内存性能和可靠性有较高要求的各类嵌入式及网络通信设备的设计。
- 型号:MT41J256M8HX-15E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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