MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F TR

MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F TR是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8）容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术，供电电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的扩展工业级工作温度，确保了在恶劣环境下的高可靠性和数据稳定性。

其核心卖点在于平衡了密度、性能与可靠性。63-VFBGA封装形式适合空间受限的表面贴装设计，而并行接口则提供了高效的数据传输路径。这些特性使其成为工业控制、汽车电子、网络设备等需要持久、可靠数据存储的嵌入式应用的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（512M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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