MT41J256M16RE-15E IT:D是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3 SDRAM芯片,采用256M x 16的存储组织架构。该器件基于并联接口设计,工作时钟频率为667MHz(数据传输速率1333 MT/s),能够提供高带宽的数据传输性能,满足对内存吞吐量有要求的应用。
芯片采用1.5V标准电压供电,访问时间为13.5ns,并支持-40°C至95°C的宽工业级温度范围,确保了在恶劣环境下的操作可靠性。其表面贴装型96-TFBGA封装优化了空间布局与信号完整性。该DRAM解决方案主要面向需要稳定、高性能内存支持的工业控制、网络通信及嵌入式系统等领域。
- 型号:MT41J256M16RE-15E IT:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA(10x14)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA(10x14)
- 想获取MT41J256M16RE-15E IT:D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料