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MICRON
MT41J256M16RE-15E IT:D的图片

MT41J256M16RE-15E IT:D

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(10x14)
优势价格,MT41J256M16RE-15E IT:D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41J256M16RE-15E IT:D的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41J256M16RE-15E IT:D是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3 SDRAM芯片,采用256M x 16的存储组织架构。该器件基于并联接口设计,工作时钟频率为667MHz(数据传输速率1333 MT/s),能够提供高带宽的数据传输性能,满足对内存吞吐量有要求的应用。

芯片采用1.5V标准电压供电,访问时间为13.5ns,并支持-40°C至95°C的宽工业级温度范围,确保了在恶劣环境下的操作可靠性。其表面贴装型96-TFBGA封装优化了空间布局与信号完整性。该DRAM解决方案主要面向需要稳定、高性能内存支持的工业控制、网络通信及嵌入式系统等领域。

  • 型号:MT41J256M16RE-15E IT:D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(10x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:256M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.5 ns
  • 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(10x14)
  • 想获取MT41J256M16RE-15E IT:D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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